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首頁 > LED發光二極管外延片技術
發布時間：2021-10-15 文章出自：http://www.qdcypxxx.com/
1.改進兩步法生長工藝
目前商業化生產采用的是兩步生長工藝，但一次可裝入襯底數有限，6片機比較成熟，20片左右的機臺還在成熟中，片數較多后導致外延片均勻性不夠。發展趨勢是兩個方向：一是開發可一次在反應室中裝入更多個襯底外延片生長，更加適合于規模化生產的技術，以降低成本;另外一個方向是高度自動化的可重復性的單片設備。
2.氫化物汽相外延片(HVPE)技術
采用這種技術可以快速生長出低位元錯密度的厚膜，可以用做采用其他方法進行同質外延片生長的襯底。并且和襯底分離的GaN薄膜有可能成為體單晶GaN芯片的替代品。HVPE的缺點是很難精確控制膜厚，反應氣體對設備具有腐蝕性，影響GaN材料純度的進一步提高。
3.選擇性外延片生長或側向外延片生長技術
采用這種技術可以進一步減少位元錯密度，改善GaN外延片層的晶體品質。首先在合適的襯底上(藍寶石或碳化硅)沉積一層GaN，再在其上沉積一層多晶態的SiO掩膜層，然后利用光刻和刻蝕技術，形成GaN視窗和掩膜層條。在隨后的生長過程中，外延片GaN首先在GaN視窗上生長，然后再橫向生長于SiO條上。
4.懸空外延片技術(Pendeo-epitaxy)
采用這種方法可以大大減少由于襯底和外延片層之間晶格失配和熱失配引發的外延片層中大量的晶格缺陷，從而進一步提高GaN外延片層的晶體品質。首先在合適的襯底上(6H-SiC或Si)采用兩步工藝生長GaN外延片層。然后對外延片膜進行選區刻蝕，一直深入到襯底。這樣就形成了GaN/緩沖層/襯底的柱狀結構和溝槽交替的形狀。然后再進行GaN外延片層的生長，此時生長的GaN外延片層懸空于溝槽上方，是在原GaN外延片層側壁的橫向外延片生長。采用這種方法，不需要掩膜，因此避免了GaN和醃膜材料之間的接觸。
